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J-GLOBAL ID：201602211197955132   整理番号：16A0583417

28nm CMOSによる動的にバイアスされたマルチバンド2G/3G/4Gセルラ送信機【Powered by NICT】

A Dynamically Biased Multiband 2G/3G/4G Cellular Transmitter in 28 nm CMOS

著者 (9件)： Seth Siddharth (, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA) ,  Kwon Dae Hyun (, Samsung Semiconductor, Hwaseong-Si, South Korea) ,  Venugopalan Sriramkumar (, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA) ,  Son Sang Won (, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA) ,  Zuo Yongrong (, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA) ,  Bhagavatula Venumadhav (, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA) ,  Lim Jaehyun (, Samsung Semiconductor, Hwaseong-Si, South Korea) ,  Oh Dongjin (, Samsung Semiconductor, Hwaseong-Si, South Korea) ,  Cho Thomas Byunghak (, Samsung Semiconductor, Hwaseong-Si, South Korea)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 51  号： 5  ページ： 1096-1108  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 動的バイアスパワーミキサに基づく高度に構成可能な,低電力,小面積,低EVM,SAWレス送信機(TX)アーキテクチャを提案した。4G LTE11版でと3GHSPA+の0.7~2.7GHzのFDD/TDDバンド全ては2g4バンドに加えて支持された。パワーミキサバイアス電流は完全差動ハイブリッド全波rectifier/envelope検出回路を用いた瞬時ベースバンド信号スイングに基づいて動的に調整した。固定バイアスと比較した場合,動的バイアスは50%以上の電流節約をもたらす良好な線形性を有するより高い出力パワーを提供した。28nm CMOS技術を用いて作製し,TXは出力パワーdBmacross全ての3G/4Gバンドをまでと41dBcACLRより良いより157dBc/HzRXバンド雑音発光を示すが,利得制御範囲80dB以上を示した。さらに,TXはより良いより65dBcCIM3を提供するために構成された,B13/B26/B1における1RB4G LTE信号を伝送する場合の厳密なスプリアス発射仕様を満たすためにそれを可能にした。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線形性 ,  計算機アーキテクチャ ,  ベースバンド ,  *送信機 ,  雑音 ,  *バイアス ,  スプリアス発射 ,  電流 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 検出回路 ,  バイアス電流 ,  低電力化 ,  *マルチバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS ,  マルチバンド ,  送信機