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J-GLOBAL ID：201602211275120721   整理番号：16A0271464

常圧CVD法を用いた酸化亜鉛薄膜の作製

Preparation of Zinc Oxide Thin Film by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： 早川尚志 (東海大 大学院工学研究科) ,  淺香隆 (東海大 大学院工学研究科) ,  樋口昌史 (東海大 大学院工学研究科) ,  秋山泰伸 (東海大 大学院工学研究科)
資料名： Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan  (Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan)
巻： 23  号： 381  ページ： 75-81  発行年： 2016年03月01日 
JST資料番号： F0275A  ISSN： 1345-3769  CODEN： JSIJFR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)は酸化インジウムスズ(ITO)の代替透明導電膜として期待されている。常圧CVDは,真空系が不要なため操作性が良く,製造設備が安価である。本研究では,酢酸亜鉛に比べて蒸気圧が高く,成膜速度を速くできるアセチルアセトナート亜鉛を原料に用い,常圧熱CVD法によりZnO膜を作製した。成膜速度は,酢酸亜鉛を用いたときの2倍近くに増加した。400°Cで成膜した薄膜はステップカバレッジは良いが結晶性が悪く,500°Cで成膜した薄膜はP型半導体として働くが,ステップカバレッジが悪かった。P型半導性とステップカバレッジを同時に備えた酸化亜鉛薄膜を作製するためには,450°C程度の成膜温度が適していた。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  透明導電膜 ,  *酸化亜鉛 ,  酸化インジウムスズ ,  *化学蒸着 ,  蒸気圧 ,  堆積速度 ,  熱CVD ,  被覆率 ,  *微細構造 ,  結晶構造 ,  結晶度 ,  P型半導体 ,  基板温度 ,  温度依存性 ,  反応機構 ,  拡散係数 ,  X線回折分析 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物 ,  代替材料 ,  ITO ,  CVD【化学蒸着】 ,  ステップカバレッジ ,  微細組織 ,  結晶性 ,  走査電子顕微鏡法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： アセチルアセトナート亜鉛

引用文献 (17件)：

• A. Onodera, H. Satoh, Material Integration, 12, No. 12, 27-32 (1999) .
• Y. Akiyama, T. Sato, N. Imaishi, J. Cryst. Growth, 147, 130-146 (1995) .
• Y. Akiyama, N. Imaishi, Y.-S. Shin, S.-C. Jung, J. Cryst. Growth, 241, 351-362 (2002) .
• Y.-S. Shin, M. Yoshida, Y. Akiyama, N. Imaishi, S.-C. Jung, J. Apple. Phys., 42, 5227- 5232 (2003) .
• Y. Akiyama, K. Shitanaka, H. Murakami, Y.-S. Shin, M. Yoshida, N. Imaishi, Thin Solid Films, 515, 4975-4979 (2007) .

タイトルに関連する用語 (3件)： 常圧CVD ,  酸化亜鉛薄膜 ,  作製