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J-GLOBAL ID：201602211316958263   整理番号：16A0368988

第2世代低損失SJ-MOSFET「Super J MOS S2 シリーズ」

2nd-Generation Low-Loss SJ-MOSFET “Super J MOS S2 Series”

著者 (3件)： WATANABE Sota (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  SAKATA Toshiaki (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  YAMASHITA Chiho (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 61  号： 4  ページ： 276-279  発行年： 2015年12月30日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーを効率よく利用するために,電力変換装置においてさらなる効率向上に対する要求の増加があり,それとともに搭載される電力用金属-酸化物-半導体電界効果型トランジスタ(MOSFET)は,小型,低損失および低雑音であることが要求されてきた。富士電機は,オン抵抗R_onを削減した使いやすい第2世代低損失SJ-MOSFET「Super J MOS S2 シリーズ」を開発した。それは,単位面積で標準化され,ターンオフスイッチング損失E_offとターンオフスイッチング時のV_DSサージとの間のトレードオフ特性を改善する。本製品の採用は,電力変換装置の効率を改善することが期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *損失 ,  *半導体接合 ,  *MOSFET ,  電力変換器 ,  オン抵抗 ,  ターンオフ ,  スイッチング損失 ,  電気サージ
準シソーラス用語： *次世代 ,  *低損失 ,  *超接合

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (9件)：

• Tamura, T. et al. "Super J-MOS" Low Power Loss Superjunction MOSFETs. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2012, vol.58, no.2, p.79-82.
• T. Tamura et al. Reduction of Turn- off Loss in 600 V-class Superjunction MOSFET by Surface Design. PCIM Asia 2011, p.102-107.
• S. Watanabe et al. A Low Switching Loss Superjunction MOSFET (Super J-MOS) by Optimizing Surface Design. PCIM Asia 2012, p.160-165.
• T. Fujihira. Theory of Semiconductor Superjunction Devices. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, vol.36, p.6254-6262.
• G. Deboy et al. A New Generation of High Voltage MOSFETs Breaks the Limit Line of Silicon. Proc. IEDM, 1998, p.683-685.

タイトルに関連する用語 (3件)： 世代 ,  低損失 ,  MOS