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J-GLOBAL ID：201602211404425052   整理番号：16A0920763

ジルコン酸チタン酸鉛薄膜電極のための化学溶液堆積によるSi基板上のSrRuO₃薄膜の方位制御

Orientation control of SrRuO₃ thin film on a Si substrate by chemical solution deposition for an electrode of lead zirconate titanate thin films

著者 (9件)： Ohno Tomoya (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Fukumitsu Kentaroh (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Honda Takamasa (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Hirai Shigeto (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Arai Takashi (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan) ,  Sakamoto Naonori (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan) ,  Wakiya Naoki (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan) ,  Suzuki Hisao (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan) ,  Matsuda Takeshi (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 181  ページ： 74-77  発行年： 2016年10月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学溶液堆積(CSD)法を使用してSi基板に酸化ストロンチウムルテニウム(SRO)電極を堆積した。この研究のためにCSDで得られたSi基板に堆積した種子層を使用してSRO電極の結晶方位を制御した。その際にはa軸優先方位のSRO薄膜がSi基板に得られた。さらに,Zr/Ti=50/50の組成(PZT50)のジルコン酸チタン酸鉛(PZT)薄膜がa軸配向のSRO層上に堆積された。堆積されたPZT薄膜もa軸とc軸の優先配向を示した。見積もられた残留分極と実効圧電定数(d₃₃^eff)はそれぞれ20μC/cm²と298pm/Vであった。これらの値は同じ組成の報告されているバルクのPZTのものにほほぼ等しかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *ルテニウム化合物 ,  *酸素酸塩 ,  酸化物 ,  ランタン化合物 ,  コバルト化合物 ,  ニッケル化合物 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  優先配向 ,  *残留分極 ,  定数 ,  *圧電気 ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  *膜電極
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  ハイブリッド薄膜 ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  圧電定数 ,  化学溶液堆積 ,  薄膜電極

著者キーワード (5件)： Crystal growth ,  Electroceramics ,  Multilayer structure ,  Sol-gel preparation ,  Thin films

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (6件)： ジルコン酸チタン酸鉛 ,  薄膜電極 ,  化学溶液堆積 ,  Si基板 ,  薄膜 ,  方位制御