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J-GLOBAL ID：201602211524292155   整理番号：16A0139721

化合物半導体光集積デバイスの展望 化合物半導体と異種材料との接合技術

著者 (1件)： 下村和彦 (上智大 理工)
資料名： O plus E  (O plus E)
号： 435  ページ： 139-147  発行年： 2016年01月25日 
JST資料番号： Z0994A  ISSN： 0911-5943  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板上にIII-Vデバイスを集積化する接合技術,および実際に試作されたデバイスについて,以下の項目に沿って解説した。1)接合技術(中間層有・無)。2)Si基板上にIII-Vデバイス(光源・レーザ,パッシブデバイス)。3)新しい集積化方法。

シソーラス用語： *DHレーザ ,  *MOCVD ,  ケイ素 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  多重量子井戸 ,  *半導体接合

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (34件)：

• S. Tanaka, S. H. Jeong, S. Sekiguchi, T. Kurahashi, Y. Tanaka, and K. Morito, "High-output-power, single-wavelength silicon hybrid laser using precise flip-chip bonding technology", Opt. Express, Vol. 20, No. 27, 28057, 2012.
• T. Kita, K. Nemoto, and H. Yamada, "Silicon photonic wavelength-tunable laser diode with asymmetric Mach-Zehnder interferometer", IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., Vol. 20, No. 4, 8201806, 2014.
• K. Ohira, K. Kobayashi, N. Iizuka, H. Yoshida, M. Ezaki, H. Uemura, A. Kojima, K. Nakamura, H. Furuyama, and H. Shibata, "On-chip optical interconnection by using integrated III-V laser diode and photodetector with silicon waveguide", Opt. Express, Vol. 18, No. 15, 15440, 2010
• S. Stanković, R. Jones, M. N. Sysak, J. M. Heck, G. Roelkens, and D. V. Thourhout, "1310-nm hybrid III-V/Si Fabry-Pérot laser based on adhesive bonding", IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 23, No. 23, 1781, 2011.
• D. Inoue, J. Lee, K. Doi, T. Hiratani, Y. Atsuji, T. Amemiya, N. Nishiyama, and S. Arai, "Room-temperature continuous-wave operation of GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane laser bonded on Si substrate", Appl. Phys. Express, 7, 072701, 2014.

タイトルに関連する用語 (4件)： 化合物半導体 ,  光集積デバイス ,  展望 ,  異種材料