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J-GLOBAL ID：201602211537565800   整理番号：13A1264546

Effect of surface morphology on the electron mobility of epitaxial graphene grown on 0° and 8° Si-terminated 4H-SiC substrates

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著者 (7件)：
Li Jia

Li Jia について

(Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang)

Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang について

, 
Wang Li

Wang Li について

(Information Center of Sci. and Technol., Beijing)

Information Center of Sci. and Technol., Beijing について

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Feng Zhihong

Feng Zhihong について

(Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang)

Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang について

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Yu Cui

Yu Cui について

(Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang)

Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang について

, 
Liu Qingbin

Liu Qingbin について

(Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang)

Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang について

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Dun Shaobo

Dun Shaobo について

(Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang)

Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang について

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Cai Shujun

Cai Shujun について

(Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang)

Sci. and Technol. on ASIC Lab., Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang について


資料名：
Chinese Physics B  (Chinese Physics B)

Chinese Physics B について


巻： 21  号： 9  ページ： 097304-1-097304-4  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

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