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J-GLOBAL ID：201602211905772161   整理番号：16A0249537

酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術

State-of-the-art technology on gallium oxide power devices

著者 (17件)： 東脇正高 (情報通信研究機構 未来ICT研 グリーンICTデバイス先端開発セ) ,  WONG Man Hoi (情報通信研究機構 未来ICT研 グリーンICTデバイス先端開発セ) ,  小西敬太 (情報通信研究機構 未来ICT研 グリーンICTデバイス先端開発セ) ,  佐々木公平 (情報通信研究機構 未来ICT研 グリーンICTデバイス先端開発セ) ,  佐々木公平 (タムラ製作所) ,  後藤健 (タムラ製作所) ,  後藤健 (東京農工大 大学院工学研究院) ,  野村一城 (東京農工大 大学院工学研究院) ,  THIEU Quang Tu (東京農工大 大学院工学研究院) ,  富樫理恵 (東京農工大 大学院工学研究院) ,  村上尚 (東京農工大 大学院工学研究院) ,  熊谷義直 (東京農工大 大学院工学研究院) ,  MONEMAR Bo (東京農工大 大学院工学研究院) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院工学研究院) ,  倉又朗人 (タムラ製作所) ,  増井建和 (タムラ製作所) ,  山腰茂伸 (タムラ製作所)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 402(ED2015 112-120)  ページ： 13-18  発行年： 2016年01月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化ガリウム(Ga₂O₃)は,パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体である。また,大口径・高品質な基板を,簡便・安価に製造可能という産業上の大きな魅力も合わせ持つ。これらの特徴から,SiC,GaNに続く新ワイドギャップ半導体として近年注目を集めつつある。本稿では,最近のGa₂O₃パワーデバイス開発における主要な進捗である,フィールドプレート付き横型Ga₂O₃MOSFET,およびハライド気相成長法により形成したドリフト層を有する縦型Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードについて紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *電力トランジスタ ,  Schottky障壁ダイオード ,  *MOSFET ,  結晶成長
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  フィールドプレート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 酸化ガリウム ,  パワーデバイス