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J-GLOBAL ID：201602212387180144   整理番号：16A1330953

SiO₂/Si(001)基板上の単層化合物半導体からの光第二高調波発生(SHG)信号の酸化膜厚みによる影響

著者 (7件)： 宮内良広 (防衛大) ,  森下亮 (横浜国大) ,  田中正俊 (横浜国大) ,  大野真也 (横浜国大) ,  水谷五郎 (北陸先端科学技術大学院大) ,  鈴木隆則 (防衛大) ,  鈴木隆則 (横浜国大)
資料名： Optics & Photonics Japan講演予稿集(CD-ROM)  (日本光学会年次学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.1pP1  発行年： 2016年10月15日 
JST資料番号： L6928B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *第二高調波発生 ,  光信号 ,  *酸化膜 ,  厚み ,  化合物半導体 ,  単一層 ,  *ウエハ【IC】 ,  *ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  半導体素子 ,  半導体材料 ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物
準シソーラス用語： *ケイ素基板 ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiO2 ,  Si ,  単層 ,  化合物半導体 ,  第二高調波発生 ,  SHG ,  酸化 ,  膜厚み