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文献
J-GLOBAL ID:201602212387180144   整理番号:16A1330953

SiO2/Si(001)基板上の単層化合物半導体からの光第二高調波発生(SHG)信号の酸化膜厚みによる影響

著者 (7件):
資料名:
巻: 2016  ページ: ROMBUNNO.1pP1  発行年: 2016年10月15日
JST資料番号: L6928B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
非線形光学 

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