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J-GLOBAL ID：201602213186693958   整理番号：16A0137206

バイポーラ接合トランジスタのはじき出し損傷感度のスクリーンとしての陽子照射

Proton Irradiation as a Screen for Displacement-Damage Sensitivity in Bipolar Junction Transistors

著者 (10件)： ARUTT Charles N. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WARREN Kevin M. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SCHRIMPF Ronald D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WELLER Robert A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  KAUPPILA Jeffrey S. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  ROWE Jason D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  STERNBERG Andrew L. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  REED Robert A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  BALL Dennis R. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  FLEETWOOD Daniel M. (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 62  号： 6,Pt.1  ページ： 2498-2504  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中性子を用いたはじき出し損傷試験は高価で多大な時間を要する。本研究では,大きさの異なるNPNおよびPNPバイポーラ接合トランジスタ(BJT)に4MeV陽子と10keVX線を照射し,電離に関係する劣化量を推定し,陽子によるはじき出しに関係する劣化を計算した。適当なマージンを持つこの一般的手法は,中性子誘起はじき出し損傷に対する感受性のスクリーンとして利用できる。さらに,1MeV等価中性子はじき出し損傷で生じる劣化量を推定し,陽子によるはじき出し損傷と比較した。

シソーラス用語： *バイポーラトランジスタ ,  *はじき出し損傷 ,  *陽子照射 ,  X線照射 ,  中性子照射 ,  イオン化 ,  エネルギー損失 ,  放射線量 ,  NPN接合 ,  PNP接合 ,  放射線感受性
準シソーラス用語： 総電離線量

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイポーラ接合トランジスタ ,  はじき出し損傷 ,  感度 ,  スクリーン ,  陽子照射