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J-GLOBAL ID：201602213400960799   整理番号：16A0090489

触媒反応生成高エネルギーH₂Oビームを用いて堆積したZnO薄膜へのNOガス添加効果

Effect of NO addition on the properties of ZnO films grown using high-temperature H₂O generated by a catalytic reaction on Pt nanoparticles

著者 (5件)： 石塚侑己 (長岡技科大) ,  田島諒一 (長岡技科大) ,  大橋優樹 (長岡技科大) ,  玉山泰宏 (長岡技科大) ,  安井寛治 (長岡技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 297(CPM2015 83-102)  ページ： 81-84  発行年： 2015年10月30日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究室ではこれまで触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oビームを用いたCVD法によりa面サファイア基板上に高品質なZnO結晶膜の作製に成功している。本研究ではp型ZnO膜の成長を目指して,膜堆積において一酸化窒素(NO)を供給することでZnO膜への窒素(N)ドーピングを試み,得られた膜の評価を行った。その結果,p型膜は得られなかったもののHall効果測定において残留キャリア密度の減少を確認した。また低温フォトルミネッセンス測定において,いずれの試料からもn=1およびn=2の自由励起子に由来する発光と中性ドナー束縛励起子(D⁰_X)の高エネルギー側にイオン化ドナー束縛励起子(D⁺_X)に由来すると考えられる強い発光が観察されたことから優れた結晶性を有していると推察された。さらに弱いながらも中性アクセプタ束縛励起子(A⁰_X)に由来する発光も観測され,アクセプタのドーピングも生じていることが確認された。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  薄膜成長 ,  スペクトル ,  光ルミネセンス ,  一酸化窒素 ,  ドーピング ,  *P型半導体 ,  Hall効果 ,  *p型ドーピング ,  半導体ドーピング ,  *ZnOフィルム
準シソーラス用語： *ZnO薄膜 ,  PLスペクトル

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 触媒反応 ,  エネルギー ,  H2O ,  ビーム ,  堆積 ,  ZnO薄膜 ,  NO ,  添加効果