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J-GLOBAL ID:201602213405072000   整理番号:16A0052050

Sn(acac)2及びフッ化水素による逐次自己制御熱反応を用いるAlF3の原子層エッチング

Atomic Layer Etching of AlF3 Using Sequential, Self-Limiting Thermal Reactions with Sn(acac)2 and Hydrogen Fluoride
著者 (3件):
資料名:
巻: 119  号: 45  ページ: 25385-25393  発行年: 2015年11月12日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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反応物としてのSn(acac)2とフッ化水素との逐次熱反応を初めて用いて,金属フッ化物の熱的原子層エッチングを行った。in situ水晶結晶微量天秤とFourier変換赤外分光法による測定により,150~250°CでAlF3原子層エッチングを調べた。Sn(acac)2がAlF3からのフッ素を受けとり揮発性SnF(acac)反応生成物を生成し,acacをAlF3に与えAlF(acac)のような揮発性生成物も生じた。更にSn(acac)2曝露によりAlF3表面上にacac含有化学種が生成した。これがSn(acac)2エッチング反応を制限する。HF反応物は若干のacac含有化学種を除去し次のSn(acac)2曝露時に更なるエッチングを進行させる。AlF3の原子層エッチングの反応機構を提示した。
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分類 (3件):
分類
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非遷移金属元素の錯体  ,  酸  ,  その他の無触媒反応 
物質索引 (1件):
物質索引
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