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J-GLOBAL ID：201602214320725655   整理番号：16A0027023

バンドアライメント変化におけるInGaAs/GaAsSbヘテロ接合のコンダクタンス勾配と曲率係数とデジタル及びアナログ応用へのその関係

Conductance slope and curvature coefficient of InGaAs/GaAsSb heterojunctions at varying band alignments and its implication on digital and analog applications

著者 (2件)： IUTZI Ryan M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  FITZGERALD Eugene A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 118  号： 23  ページ： 235702-235702-11  発行年： 2015年12月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *アンチモン化物 ,  *ヘテロ接合 ,  エピタクシー ,  *アラインメント ,  *バンド構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  トンネル効果 ,  検出器 ,  *コンダクタンス ,  性能指数 ,  閾値
準シソーラス用語： TFET ,  サブ閾値 ,  *バンドアライメント ,  ミリ波検出器 ,  *ヒ化アンチモン化ガリウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： バンドアライメント ,  InGaAs ,  GaAsSb ,  ヘテロ接合 ,  コンダクタンス ,  勾配 ,  デジタル ,  アナログ ,  応用