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J-GLOBAL ID：201602214336196881   整理番号：16A0053238

弱電場下のP型Si_1-xGe_xの転位散乱

Dislocation scatterings in p-type Si_1-x Ge_x under weak electric field

著者 (3件)： HUR Ji-Hyun (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-Do, KOR) ,  HUR Ji-Hyun (Korea Univ., Sejong, KOR) ,  JEON Sanghun (Korea Univ., Sejong, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 26  号： 49  ページ： 495201,1-5  発行年： 2015年12月11日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,半導体素子における荷電転位によるホール移動度低下を改良するために,P型Si_1-xGe_xをチャネル材料として用いる理論モデルを提出した。この貫通転位の完全解析式を,弱電場下の正孔キャリアの運動量緩和時間から計算した。得た転位移動はT^3/2/λ関係を示し,ゲルマニウム密度xと比例した。また,転位による散乱を否定する基準をアクセプタドーパント密度,転位密度,温度,およびGe密度xのような制御可能パラメータにより示した。

シソーラス用語： *転位【結晶】 ,  *キャリア散乱 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *Hall移動度 ,  半導体素子 ,  転位密度 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *ケイ素ゲルマニウム BiCMOS ,  *転位散乱 ,  理論モデル

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電場 ,  転位散乱