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J-GLOBAL ID：201602214631931546   整理番号：16A0942461

MBE成長中InAs-GaAs(001)表面における(n×3)再構成領域の変化

著者 (5件)： 小西智也 (阿南工高専) ,  塚本史郎 (阿南工高専) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  海田諒 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16a-B9-15  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *表面 ,  再構成 ,  量子ドット
準シソーラス用語： *半導体表面

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： MBE成長 ,  InAs ,  GaAs ,  再構成