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J-GLOBAL ID:201602214934135501   整理番号:16A0168667

全線量照射により誘起された市販のディープサブミクロンSRAMの機能的故障モードの解析【Powered by NICT】

Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation
著者 (8件):
資料名:
巻: 24  号: 10  ページ: 106106-1-106106-6  発行年: 2015年 
JST資料番号: W1539A  ISSN: 1674-1056  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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全線量照射により誘起された市販のディープサブミクロンスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)の機能的破壊モードを回路シミュレーションにより解析し,実験的に検証した。著者らは,広範囲に異なる機能的破壊モードを包含する試験パターンとその電気的パラメータと関数を試験することによってデバイスの機能故障モードを特性化した。実験結果は,デバイスの機能故障モードは,周辺回路が待機電流上昇に対して敏感に起因する一時的な機能遮断であることを明らかにした。メモリセルトランジスタにおける放射線誘起しきい値シフトとオフ状態漏れ電流を含めることによって,著者らは,メモリセルの機能に及ぼす放射線の影響を模擬した。シミュレーション結果はメモリーセルはその高い安定性,これは著者らの実験結果との一致に起因して照射に対し耐性であることを明らかにした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学 

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