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J-GLOBAL ID：201602215324496444   整理番号：15A1312697

けい素-ゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタシリコンとディープトレンチアイソレーションの局所酸化におけるレーザ誘起シングルイベント過渡現象【Powered by NICT】

Laser-Induced Single Event Transients in Local Oxidation of Silicon and Deep Trench Isolation Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors

著者 (5件)： Li Pei (Xinjiang Technical Inst. of Physics & Chemistry, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Functional Materials and ...) ,  Guo Hongxia (Xinjiang Technical Inst. of Physics & Chemistry, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Functional Materials and ...) ,  Guo Qi (Xinjiang Technical Inst. of Physics & Chemistry, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Functional Materials and ...) ,  Zhang Jinxin (School of Nuclear Sci. and Tecnology, Xi’an Jiao Tong Univ., Xi’an) ,  Wei Ying (Xinjiang Technical Inst. of Physics & Chemistry, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Functional Materials and ...)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 32  号： 8  ページ： 088505-1-088505-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(LOCOS)と深いトレンチ分離(DTI)の局部酸化の構造を持つ異なるシリコン-ゲルマニウム(SiGe)ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(H BT)におけるパルスレーザにより誘起されたシングルイベントトランジェント(SET)を研究した。実験結果を詳細に論じ,LOCOSの構造を持つSiGeH BTであるSETにおけるDTI SiGeH BTより高感度であることを実証した。DTI(拡散テンソル画像)構造の限界のため,DTI SiGeH BTにおける拡散の電荷収集であるLOCOS SiGeH BTのそれよりも小さかった。LOCOS SiGeH BTのSET有感面積はコレクタ基板(C/S)接合に位置しているが,DTI SiGeH BTの有感面積は,集塵電極の近くに位置している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電極 ,  酸化 ,  *ケイ素 ,  パルスレーザ ,  高感度
準シソーラス用語： *レーザ誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 一般相対論及び重力理論  (BA07030F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  宇宙論  (DB07000D)

タイトルに関連する用語 (7件)： けい素 ,  ゲルマニウム ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  シリコン ,  局所酸化 ,  レーザ誘起 ,  シングルイベント過渡現象