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J-GLOBAL ID：201602215390754088   整理番号：16A0654893

究極スケールCMOSノードのための金属/絶縁体/半導体接触:予測された利点と残された課題【Powered by NICT】

Metal/Insulator/Semiconductor contacts for ultimately scaled CMOS nodes: Projected benefits and remaining challenges

著者 (11件)： Borrel Julien (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Hutin Louis (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Grampeix Helen (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Nolot Emmanuel (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Tessaire Magali (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Rodriguez Guillaume (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Morand Yves (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Nemouchi Fabrice (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Gregoire Magali (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Dubois Emmanuel (IEMN, UMR 8520 CNRS, Avenue Poincare, BP 60069, 59652 Villeneuve D’Ascq CEDEX, France) ,  Vinet Maud (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IWJT  ページ： 14-18  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,金属/絶縁体/半導体接触と同様にそれらの実行で生じる実際的な問題のいくつかの重要な基本的側面はこのアプローチの機会と限界を完全に理解するためにレビューした。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  *半導体 ,  *CMOS ,  *絶縁体

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： スケール ,  CMOS ,  ノード ,  絶縁体 ,  予測 ,  利点