文献

J-GLOBAL ID：201602215730074780   整理番号：16A0284226

フェナセン系薄膜電界効果トランジスタの論理回路応用

著者 (8件)： 三上隆弘 (岡山大 大学院) ,  江口律子 (岡山大 大学院) ,  下侑馬 (岡山大 大学院) ,  浜尾志乃 (岡山大 大学院) ,  後藤秀徳 (岡山大 大学院) ,  岡本秀毅 (岡山大 大学院) ,  林靖彦 (岡山大 大学院) ,  久保園芳博 (岡山大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.22P-W521-5  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *高分子薄膜 ,  *論理回路 ,  リング発振器 ,  真空蒸着 ,  インバータ
準シソーラス用語： リングオシレータ ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (5件)： フェナセン ,  薄膜 ,  電界効果トランジスタ ,  論理回路 ,  応用