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J-GLOBAL ID：201602215873516295   整理番号：16A0095339

グラフェン/Ni/Au電極のAlGaN/GaN Schottkyダイオードの電気的性質に与えるプラズマ処理の効果

Effects of Plasma Treatment on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Diodes with Graphene/Ni/Au Electrodes

著者 (5件)： HAN Shanghoo (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Inje (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Yoon Hyung (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  MAGESHWARI Kandhasamy (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Jinsub (Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nanoscience and Nanotechnology Letters  (Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻： 7  号： 9  ページ： 708-712  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W2373A  ISSN： 1941-4900  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンシートはCuフォイル上にCVDで作られ,Cuからターゲット基板上に移動させた後酸素プラズマでグラフェンはパターン形成される。プラズマはドーピングでグラフェンの電気性能を改善するが,O₂プラズマのダメージに注意する必要がある。O₂プラズマ処理とH₂アニーリング後のグラフェンの構造と電気特性を調べ,更にこれらの処理がAlGaN/GaN Schottkyダイオードの特性に与える効果を調べた。Raman分光では,O₂プラズマ出力の増加でDバンドとGバンドの強度比の増加が分かり,AFMとXPSでは表面モルフォロジの変化とC-O結合エネルギーのシフトが分かった。AlGaN/GaN Schottkyダイオードの電流電圧測定は,O₂プラズマ処理後の電気特性低下とO₂アニーリング後の回復を示した。これはO₂プラズマ処理で損傷された構造的電気的性質の改善によるものである。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *グラフェン ,  Ohm接触 ,  *プラズマ処理 ,  プラズマ ,  焼なまし ,  電流電圧特性 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  Schottkyダイオード ,  アニーリング処理 ,  酸素プラズマ ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  Ni ,  Au電極 ,  AlGaN ,  GaN ,  Schottkyダイオード ,  電気的性質 ,  プラズマ処理