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J-GLOBAL ID：201602216043748190   整理番号：16A0154988

WN(NR₂)₃タイプのタングステンニトリド錯体からのWN_xC_y薄膜の化学蒸着への配位子構造の効果

Effect of the Ligand Structure on Chemical Vapor Deposition of WN_xC_y Thin Films from Tungsten Nitrido Complexes of the Type WN(NR₂)₃

著者 (8件)： KOLEY Arijit (Univ. Florida, Florida, USA) ,  O’DONOHUE Christopher T. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  NOLAN Michelle M. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  MCCLAIN K. Randall (Univ. Florida, Florida, USA) ,  BONSU Richard O. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  KOROTKOV Roman Y. (Arkema Inc., Pennsylvania, USA) ,  ANDERSON Tim (Arkema Inc., Pennsylvania, USA) ,  MCELWEE-WHITE Lisa (Univ. Florida, Florida, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 24  ページ： 8326-8336  発行年： 2015年12月22日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 混合配位子WN(NR₂)₃タイプの一連のタングステンニトリド錯体(NR₂=NMe₂),NEt₂,NⁱPr₂,NⁿPr₂,NⁱBu₂,ピペリジン,アゼパンの組み合わせ)を合成した。次に,WN_xC_y薄膜のエアゾール支援化学蒸着(AACVD)用の前駆体としての適性をこれらの錯体の揮発性/分解性や成膜性などの観点から評価した。そして,生成WN_xC_y薄膜の膜成長速度や膜品質,Cu被覆集積回路におけるCuバリヤー層としての機能も含め,混合配位子WN(NMe₂)(NⁱPr₂)₃錯体がAACVD用の前駆体としてベストであることを明らかにした。

シソーラス用語： 被覆 ,  層 ,  集積回路 ,  *窒化物 ,  *炭化物 ,  *タングステン化合物 ,  薄膜成長 ,  前駆体 ,  混合配位子錯体 ,  錯体生成 ,  *タングステン錯体 ,  ニトリド錯体 ,  *アミド錯体 ,  *配位子効果 ,  揮発性 ,  置換基効果 ,  *化学蒸着 ,  脂肪族アミン ,  第二アミン
準シソーラス用語： バリア層 ,  *炭化窒化タングステン

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  第6族,第7族元素の錯体  (CE01080F)

物質索引 (2件)： ジイソプロピルアミン ,  ジメチルアミン

タイトルに関連する用語 (6件)： タイプ ,  タングステン ,  ニトリド錯体 ,  薄膜 ,  化学蒸着 ,  配位子