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J-GLOBAL ID：201602216252109803   整理番号：16A0096314

グラフェン-酸化物-抵抗スイッチングメモリ中の導電性ナノフィラメントの直接観察

Direct Observation of Conducting Nanofilaments in Graphene-Oxide-Resistive Switching Memory

著者 (5件)： KIM Sung Kyu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, KOR) ,  KIM Jong Yoon (Graphene Res. Center and School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, KOR) ,  CHOI Sung-Yool (Graphene Res. Center and School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, KOR) ,  LEE Jeong Yong ,  JEONG Hu Young (UNIST Central Res. Facilities (UCRF) and School of Materials Sci. and Engineering, UNIST, Ulsan, 44919, KOR)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 25  号： 43  ページ： 6710-6715  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールの薄膜を伴う抵抗ランダムアクセスメモリ中の導電性フィラメント存在の決定は,抵抗スイッチング機構の解明に不可欠である。多くの研究グループにより最近開発されたグラフェン酸化物(GO)ベースの抵抗メモリデバイスにおける双安定抵抗スイッチングは,一般的に金属あるいは酸素イオンの拡散により誘起される導電性フィラメントの形成と破断により説明されてきた。低電圧球面収差補正透過電子顕微鏡(TEM)を用い,Al/GO/Alメモリシステムに外部電圧を印加して非晶質上部界面層に形成された金属ナノフィラメントを直接観察した。加速電圧80kVにおいて入手した原子分解TEM像は,負のバイアス(オン状態)を印加後,導電性ナノフィラメントが非晶質上部界面層内ナノサイズのアルミニウム結晶から成ることを明瞭に示した。同時に,酸素イオンの後方拡散によるGO膜の結晶性変化を観察した。酸素欠損領域がエネルギーフィルターTEM酸素元素マッピングにより明瞭に確認された。本研究は,著者らのグループにより以前提案された抵抗スイッチング機構を確かめる強い証拠を与える。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電気抵抗 ,  スイッチング ,  複合膜 ,  *グラフェン ,  *アルミニウム ,  フィラメント ,  イオン拡散 ,  ナノ構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  酸化物 ,  境界層
準シソーラス用語： *抵抗スイッチングメモリ

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  酸化物 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  導電性 ,  ナノフィラメント