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J-GLOBAL ID：201602216892414459   整理番号：16A0697626

併合Schottky障壁ダイオードと減少したスイッチング損失をもつ炭化けい素スプリットゲートMOSFET【Powered by NICT】

Silicon carbide split-gate MOSFET with merged Schottky barrier diode and reduced switching loss

著者 (6件)： Jiang Huaping (Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK) ,  Wei Jin (Dept. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Dai Xiaoping (Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK) ,  Ke Maolong (Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK) ,  Zheng Changwei (Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK) ,  Deviny Ian (Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ISPSD  ページ： 59-62  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素スプリットゲートMOSFET(SG-MOSFET)を本論文で提案したが,これはスプリットゲート間のJFET領域上に埋め込まれたSchottky障壁ダイオードを特徴としている。それ故,提案したSG MOSFETは,低ターンオン電圧を持つ単極逆伝導路を誇る。,提案したデバイスのゲート-ドレイン電荷は大幅に削減され,ソース接触に短絡であることをSchottkyアノードの存在に起因した。キーデバイスパラメータの影響をSentaurus TCADを用いたデバイスシミュレーションによって調べた。提案したSG MOSFETと通常のMOSFETの間の包括的な比較を行った。優れた逆伝導特性とは別に,SG MOSFETは低ゲートツウドレイン電荷と外部フリーホイーリングダイオードの充電/放電電流の除去の両方のおかげで有意に低いスイッチング損失を示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 充電 ,  *スイッチング損失 ,  接合形FET ,  *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  電荷 ,  *Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： 放電電流 ,  デバイスシミュレーション ,  TCAD ,  ターンオン電圧 ,  *スプリットゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 併合 ,  Schottky障壁ダイオード ,  スイッチング損失 ,  炭化けい素 ,  スプリットゲート ,  MOSFET