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J-GLOBAL ID：201602216971346930   整理番号：16A0168777

AlGaN/AlN/GaN構造のGaN核合体過程の延長を介した成長条件最適化と移動度の増大【Powered by NICT】

Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure

著者 (11件)： He Xiaoguang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Zhao Degang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Jiang Desheng (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Zhu Jianjun (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Chen Ping (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Liu Zongshun (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Le Lingcong (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Yang Jing (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Li Xiaojing (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Zhang Shuming (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou) ,  Yang Hui (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 24  号： 9  ページ： 096802-1-096802-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/AlN/GaN構造をサファイア基板上に有機金属気相エピタクシーにより成長させた。二次元電子ガス(2DEG)特性に及ぼすAlN中間層の厚さは,AlGaN障壁厚み,およびAl組成の影響を調べた。V/III比を低下させ,高温GaN層成長の初期段階における原子炉圧力を高めるGaN核凝結プロセスを長引かせ,結晶品質と界面形態を効果的に改善し,界面粗さ散乱を低減と2DEG移動度を改善する。249の2次元電子ガスのシート密度1.19×10~(13)cm~(-2),2101cm~2V~(-1)~(-1)の電子移動度,シート抵抗値を有するAl-GaN/AlN/GaN構造を得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シート抵抗 ,  *移動度 ,  *アルミニウム ,  *最適化 ,  MOCVD ,  *窒化アルミニウム ,  高温 ,  界面 ,  二次元電子ガス ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  結晶品質 ,  中間層 ,  サファイア基板 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  過程 ,  成長条件 ,  最適化 ,  移動度