Yokoyama Masafumi について
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan について
Suzuki Rena について
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan について
Taoka Noriyuki について
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan について
Takenaka Mitsuru について
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan について
Takagi Shinichi について
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan について
Applied Physics Letters について
半導体 について
配向 について
ヒ化ガリウムインジウム について
MOS構造 について
界面 について
特性 について
X線光電子スペクトル について
容量電圧特性 について
分散【dispersion】 について
半導体材料 について
酸化アルミニウム について
界面特性 について
周波数分散 について
表面配向 について
表面の電子構造 について
含有量 について
InGaAs について
Al2O3 について
金属酸化物半導体 について
MOS について
界面特性 について
表面配向 について