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J-GLOBAL ID：201602217231190747   整理番号：16A0127358

中赤外放射バンド間カスケードレーザの活性領域のために設計されたII型InAs/GaInAsSb量子井戸における界面相互混合

Interface Intermixing in Type II InAs/GaInAsSb Quantum Wells Designed for Active Regions of Mid-Infrared-Emitting Interband Cascade Lasers

著者 (10件)： MOTYKA Marcin (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  SEK Grzegorz (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  RYCZKO Krzysztof (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  DYKSIK Mateusz (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  WEIH Robert (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  PATRIARCHE Gilles (Univ. Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  MISIEWICZ Jan (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  KAMP Martin (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  HOEFLING Sven (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  HOEFLING Sven (Univ. St. Andrews, St. Andrews, GBR)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 10:471 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： W設計GaSb/AlSb/InAs/Ga_0.665In_0.335As_xSb_1-x/InAs/AlSb/GaSb量子井戸(QW)における界面相互混合の影響を,構造データとバンド構造計算に支えられた光学分光により調べた。室温で基本光学遷移を,フォトルミネセンスと光反射測定を通じて検出し,また,理想的な正方QWプロファイルに対して計算されたエネルギーギャップ駆動シフトと対照的に,GaInAsSb層内のAs含有量が増すとともに,それらは青方偏移を示すことがわかった。正孔閉じ込め層内へのヒ素の取り込みは物質構造と光学構造に影響をおよぼし,InAs/GaInAsSb界面とそれらの相互混合の度合いを変化させる。断面透過型電子顕微鏡像の分析とエネルギー分散X線分光を用いて,QW層にわたる組成分布を導き出し,より現実的な閉じ込めポテンシャルプロファイルをシミュレートした。そのようなAs増強相互混合を示す平滑化された界面に対して,エネルギー準位計算は,実験的に得られた傾向を再現することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 赤外レーザ ,  電子遷移 ,  量子カスケードレーザ ,  ヒ化インジウム ,  *量子井戸 ,  *混合 ,  界面 ,  バンド構造 ,  光ルミネセンス ,  光反射 ,  青方偏移 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *化合物半導体 ,  *媒質 ,  *物質 ,  FTIR分光法
準シソーラス用語： 中赤外レーザ ,  バンド間遷移 ,  *相互混合 ,  フォトルミネセンス ,  断面透過型電子顕微鏡 ,  *レーザ媒質

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 赤外放射 ,  バンド ,  カスケードレーザ ,  活性領域 ,  設計 ,  InAs ,  量子井戸 ,  界面 ,  相互混合