文献

J-GLOBAL ID：201602217286928710   整理番号：16A0380140

窒化ガリウム(GaN)に基づく高度なパワーエレクトロニクスデバイス

Advanced Power Electronic Devices Based on Gallium Nitride (GaN)

著者 (12件)： PIEDRA Daniel (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  LU Bin (Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA) ,  SUN Min (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  ZHANG Yuhao (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  MATIOLI Elison (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  GAO Feng (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  CHUNG Jinwook (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  SAADAT Omair (Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA) ,  XIA Ling (Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA) ,  AZIZE Mohamed (Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  PALACIOS Tomas (Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015  ページ： 430-433  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここ数十年は,パワーエレクトロニクスにとって最も興奮する時代である。その中で,GaN技術は,ここ数年大きく進歩した。ゲート電圧スイングが+/- 10VのGaNノーマリーオフのみのトランジスタが,今やCEIから市販化され,これは標準シリコンドライバと互換性を持つ。付け加えると,同一チップ上にシリコンデバイスだけでなくEモードとDモードGaNデバイスを集積することによって,回路設計家に予期しない柔軟性を与えることになる。それと並行に,新しい技術が縦型GaNデバイスの性能を迅速に改善しコストを下げている。この縦型技術は市販システム中にまだ組み入れられていないが,将来は重要な役割を果たす可能性がある。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *パワーエレクトロニクス ,  *縦型 ,  絶縁破壊 ,  電流電圧特性 ,  走査電子顕微鏡 ,  漏れ電流 ,  素子構造 ,  回路特性 ,  FET【トランジスタ】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化ガリウム ,  GaN ,  パワーエレクトロニクス