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J-GLOBAL ID：201602217453583968   整理番号：16A0005365

熱電応用のためのシリサイド/シリコンのヘテロ接合構造

Silicide/Silicon Hetero-Junction Structure for Thermoelectric Applications

著者 (8件)： JUN Dongsuk (ETRI, Daejeon, KOR) ,  KIM Soojung (ETRI, Daejeon, KOR) ,  KIM Soojung (UST, Daejeon, KOR) ,  CHOI Wonchul (KAIST, Daejeon, KOR) ,  KIM Junsoo (ETRI, Daejeon, KOR) ,  ZYUNG Taehyoung (ETRI, Daejeon, KOR) ,  ZYUNG Taehyoung (UST, Daejeon, KOR) ,  JANG Moongyu (Hallym Univ., Chuncheon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 15  号： 10  ページ： 7472-7475  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリサイド/シリコンヘテロ接合構造の熱電デバイスをCMOSプロセスによって作製した。電気伝導率,Seebeck係数,パワーファクタと温度差を定常状態解析法を用いて評価した。エルビウムシリサイド/シリコンヘテロ接合と白金シリサイド/シリコンヘテロ構造を,それぞれn-レッグとp-レッグエレメントとして作製した。白金シリサイド/シリコン多層構造によりSeebeck係数とパワーファクタが増大した。Seebeck係数はエルビウムシリサイド/シリコン構造によっても増大した。

シソーラス用語： *熱電素子 ,  *ヘテロ接合 ,  ケイ化物 ,  *ケイ素 ,  輸送係数 ,  力率 ,  熱起電力 ,  エルビウム化合物 ,  白金化合物
準シソーラス用語： *Seebeck係数 ,  Seebeck効果 ,  シリサイド ,  パワーファクタ ,  熱電デバイス

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  シリサイド ,  シリコン ,  ヘテロ接合