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J-GLOBAL ID：201602217499263887   整理番号：16A0163967

ナノ結晶AlN薄膜の集合組織とDCマグネトロンスパッタリングにおける成長条件【Powered by NICT】

Texture of the nano-crystalline AlN thin films and the growth conditions in DC magnetron sputtering

著者 (9件)： Khan Shakil (Dep. of Metallurgy and Materials Engineering, Pakistan Inst. of Engineering & Applied Sciences, Pakistan, Islamabad) ,  Shahid Muhammad (Dep. of Nuclear Engineering, Pakistan Inst. of Engineering & Applied Sciences, Pakistan, Islamabad) ,  Mahmood A (National Inst. of Laser and Optronics (NILOP), Pakistan, Islamabad) ,  Shah A (National Inst. of Laser and Optronics (NILOP), Pakistan, Islamabad) ,  Ahmed Ishaq (National Centre for Physics, Quaid-i-Azam Univ., Pakistan, Islamabad) ,  Mehmood Mazhar (Dep. of Metallurgy and Materials Engineering, Pakistan Inst. of Engineering & Applied Sciences, Pakistan, Islamabad) ,  Aziz U (National Inst. of Laser and Optronics (NILOP), Pakistan, Islamabad) ,  Raza Q (National Inst. of Laser and Optronics (NILOP), Pakistan, Islamabad) ,  Alam M (Dep. of Applied Physics, Pakistan Inst. of Engineering & Applied Sciences, Pakistan, Islamabad)
資料名： Progress in Natural Science: Materials International  (Progress in Natural Science: Materials International)
巻： 25  号： 4  ページ： 282-290  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0407A  ISSN： 1002-0071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DC反応性マグネトロンスパッタリング法によりAlN薄膜の作製に使用した。堆積温度と2/Arの流量比を変化させ,それに続く膜の結晶配向/集合組織の依存性を扱った。一般的に,堆積膜は六方晶多結晶(002)優先配向をもつことが分かった。X線回折(XRD)データは,膜の結晶性が改善され,300 1~500°Cの基板温度の増加によることを明らかにした。XRDロッキングカーブの半値全幅(FWHM)の削除は,それをさらに確認した。しかし,500°C以上の基板温度の増加,あるいは窒素条件(環境で60%から30%に)減少が,(102)と(103)方位をもつ微結晶の成長を誘導した。対応する条件のためのロッキング曲線のFWHMの増加は膜のテクスチャ品質が低下することを示した。成長条件と膜構造/配向変化の更なる確認は,Fourier変換赤外(FTIR)スペクトルで支配的なE_1(TO)モードのFWHM値とRamanスペクトルにおけるE_2(高)モードにおける変化から得られた。著者らは,(002)軸かc-軸配向しA FM表面分析における柱状構造を相関させた。試料の分光偏光解析は500°Cの成長温度で高い屈折率を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多結晶 ,  基板温度 ,  屈折率 ,  微結晶 ,  優先配向 ,  分子配向 ,  結晶方位 ,  *集合組織 ,  X線回折 ,  *ナノ結晶 ,  六方晶系 ,  Ramanスペクトル ,  結晶度 ,  アルゴン ,  *窒化アルミニウム

分類 (1件)： 計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ結晶 ,  AlN ,  薄膜 ,  集合組織 ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  成長条件