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J-GLOBAL ID：201602217666459918   整理番号：16A0208971

高性能Ge MOSFETの界面工学とゲート誘電体工学

Interface Engineering and Gate Dielectric Engineering for High Performance Ge MOSFETs

著者 (2件)： SUN Jiabao (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  LU Jiwu (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名： Advances in Condensed Matter Physics (Web)  (Advances in Condensed Matter Physics (Web))
巻： 2015  ページ： 639218 (WEB ONLY)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U7023A  ISSN： 1687-8108  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,ゲルマニウムは,マイクロエレクトロニクス工業における有望な応用のための強い関心を引き寄せていた。しかしながら,高性能のGeチャネルデバイスを実現するために,いくつかの重大な問題にまだ取り組む必要がある。それらの問題の中で,高品質のゲートスタック,すなわち,低欠陥界面層と誘電体層が非常に重要である。本研究では最初に,界面工学とゲート誘電体工学の既存の方法を概観し,次により詳しく,三つの有望な手法(すなわち,プラズマ後酸化,高圧酸化,オゾン後酸化)を検討し,比較した。それらの手法がすべて,金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ(MOSFET)デバイスの総合的な性能を大きく改善できることを確かめた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 工学 ,  誘電体 ,  界面 ,  *MOSFET ,  ゲルマニウム ,  酸化 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜
準シソーラス用語： 誘電体工学 ,  高性能 ,  ゲートスタック

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  Ge ,  MOSFET ,  界面 ,  工学 ,  ゲート ,  誘電体工学