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J-GLOBAL ID：201602217812728242   整理番号：16A1059489

n型6H-SiC上に有機金属化学蒸着により成長させたSiドープAlN膜の正および小電子親和力の観測【Powered by NICT】

Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC

著者 (18件)： Liang Feng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Ping (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Degang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Jiang Desheng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Zhijuan (Center for Physicochemical Analysis and Measurement, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Zongshun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Jianjun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Jing (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Wei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  He Xiaoguang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Xiaojing (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Xiang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Shuangtao (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Hui (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Liqun (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Jianping (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yuantao (College of Electronic Science and Engineering, Jilin University) ,  Du Guotong (College of Electronic Science and Engineering, Jilin University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 5  ページ： 057703-1-057703-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は50nm,200nmおよび400nmの厚さを有するSiドープAlN膜(N(Si)=1.0×10(18)--1.0×10(19)cm(-3))の電子親和力,ntype(001)6H-SiC基板上に低圧下での有機金属化学気相成長法(MOCVD)による合成を調べた。AlN膜の正と小さな電子親和性を紫外光電子分光(UPS)解析により観察された,電子親和性の増加は,AlN膜400nm厚の,すなわち,50nm厚の0.36eV,200nm厚の0.58eV,および0.97eVの厚さで出現する。表面汚染に及ぼすX線光電子分光法(XPS)分析に伴い,著者らの三つの試料の間の電子親和性の違いは,表面不純物汚染の不一致に起因する可能性があることを示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *MOCVD ,  光電子分光法 ,  *電子親和力 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  *ドーピング ,  低圧 ,  不純物
準シソーラス用語： 表面汚染 ,  UPS【電子分光】 ,  *6H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlN ,  電子親和性 ,  光電子分光法 ,  有機金属化学気相蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 6H-SiC ,  有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  Si ,  ドープ ,  AlN ,  電子親和力 ,  観測