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J-GLOBAL ID：201602217824848927   整理番号：16A0137217

16nm FinFET Dフリップフロップのシングルイベントアップセットのバイアス依存性

Bias Dependence of Single-Event Upsets in 16nm FinFET D-Flip-Flops

著者 (12件)： NARASIMHAM Balaji (Broadcom Corp., CA, USA) ,  HATAMI Safar (Broadcom Corp., CA, USA) ,  ANVAR Ali (Broadcom Corp., CA, USA) ,  HARRIS David M. (Harvey Mudd Coll., CA, USA) ,  LIN Alvin (Broadcom Corp., CA, USA) ,  WANG Jung K. (Broadcom Corp., CA, USA) ,  CHATTERJEE Indranil (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  NI Kai (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  BHUVA Bharat L. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SCHRIMPF Ronald D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  REED Robert A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  MCCURDY Mike W. (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 62  号： 6,Pt.1  ページ： 2578-2584  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プレーナ型素子からFinFETへの製造工程の移動に伴い,物理的構造の違いからFinFETに基づく回路のSEU(シングルイベントアップセット)機構の評価が必要である。本研究では,FinFETに基づくDフリップフロップ(双安定回路)のSEU断面積をα粒子,陽子,中性子,重イオンを用いて測定した。低線エネルギー付与(LET)粒子(α粒子や低エネルギー陽子)では,バイアスが低下と共にSEU率が指数的に増加した。TCADシミュレーションから,供給電圧による収集電荷の弱い変動がこの傾向の原因であることを示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *双安定回路 ,  *SEU【シングルイベント】 ,  重イオン照射 ,  中性子照射 ,  誤り率 ,  ソフトエラー ,  素子構造 ,  断面積 ,  線エネルギー付与 ,  耐放射線性 ,  α線照射 ,  照射損傷 ,  収集
準シソーラス用語： *FinFET ,  シングルイベントラッチアップ ,  ソフトエラー率 ,  バイアス依存性 ,  電荷収集

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： FinFET ,  Dフリップフロップ ,  シングルイベントアップセット ,  バイアス依存性