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J-GLOBAL ID：201602217874078197   整理番号：16A0169003

温度勾配溶液成長(トゴッグ)法によるTe溶液から成長させたバルクZnTe結晶の結晶品質に及ぼすCr/Inドーピングの効果【Powered by NICT】

Effect of Cr/In-doping on the crystalline quality of bulk ZnTe crystals grown from Te solution by temperature gradient solution growth (TGSG) method

著者 (4件)： Yang Rui (School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical Univ. State Key Lab. of Solidification ...) ,  Jie Wanqi (School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical Univ. State Key Lab. of Solidification ...) ,  Sun Xiaoyan (School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical Univ. State Key Lab. of Solidification ...) ,  Yang Min (School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical Univ. State Key Lab. of Solidification ...)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 9  ページ： 93006-1-93006-6  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TGSG法で成長させた非ドープ,Crドープ,InドープバルクZnTe結晶の性質を比較した。cr/inドーピングは吸収端の僅かな赤方偏移を導いた。Crドーピングは,また,2の特徴的な吸収バンドを生成し,約1750nmで,基礎吸収端の下に置かれた。しかし,基本反射スペクトルはドーパントに敏感ではない。非ドープ,Crドープ,InドープZnTeの抵抗率は約10~2cm,10~3cm,及び10~8cmであった。InドープZnTeのみが500~4000cm~(-1)の範囲のIR透過率は60%より高かった。しかし,CrドープZnTeのIR透過率は非常に低く,波数の増加,主にCrドーピングにより生成されるいくつかの欠陥により生じる散乱効果に起因して大きく減少した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 赤方偏移 ,  ドーパント ,  *インジウム ,  *テルル ,  電気抵抗率 ,  *テルル化亜鉛 ,  吸収バンド ,  *ドーピング ,  透過率 ,  吸収端 ,  結晶 ,  反射スペクトル ,  *クロム ,  *溶液成長
準シソーラス用語： *結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (12件)： 温度勾配 ,  溶液成長 ,  法 ,  Te ,  溶液 ,  成長 ,  バルク ,  ZnTe ,  結晶 ,  結晶品質 ,  Cr ,  ドーピング