文献

J-GLOBAL ID：201602218049326648   整理番号：16A0031712

rサファイア基板上の非極性a面GaNにおける形態学的および微細構造進化と関連不純物の取り込み【Powered by NICT】

Morphological and Microstructural Evolution and Related Impurity Incorporation in Non-Polar a-Plane GaN Grown on r-Sapphire Substrates

著者 (8件)： Jiang Renyuan (School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an) ,  Xu Shengrui (School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an) ,  Zhang Jincheng (School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an) ,  Jiang Teng (School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an) ,  Jiang Haiqing (School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an) ,  Wang Zhizhe (School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an) ,  Fan Yongxiang (School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 32  号： 9  ページ： 098102-1-098102-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着によりr面サファイア上に成長させたa面GaN膜の形態およびミクロ構造の時間発展に及ぼす成長温度の効果を,原子間力顕微鏡と二次イオン質量分光法(SIMS)により調べた。表面モルフォロジイと構造的品質とに関係する不純物の編入は成長温度に非常に敏感である。黄色ルミネセンスの有意差が観察され,GaN膜中への炭素の取り込み,SIMS分析によって確認されたに起因していた。著者らの結果は,三角形ピット形態を有する試料は,五角形のようなピット形態を持つ他の試料,三角形ピットにおけるN面の存在によって誘導されるよりも酸素の有意に高い濃度を持つことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モルフォロジー ,  炭素 ,  二次イオン質量分析 ,  *サファイア ,  黄 ,  原子間力顕微鏡 ,  酸素 ,  *非極性 ,  *不純物 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD
準シソーラス用語： 表面形態 ,  成長温度 ,  *微細構造進展 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア基板 ,  非極性 ,  GaN ,  形態学 ,  微細構造進化 ,  不純物 ,  取り込み