文献

J-GLOBAL ID：201602219599166393   整理番号：16A0027072

自然酸化膜を有するA^IIIB^V半導体表面の反射率異方性スペクトルにおける局所電場と固有歪の影響

Effects of local field and inherent strain in reflectance anisotropy spectra of A^IIIB^V semiconductors with naturally oxidized surfaces

著者 (3件)： BERKOVITS V. L. (Ioffe Physical Technical Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint Petersburg, RUS) ,  KOSOBUKIN V. A. (Ioffe Physical Technical Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint Petersburg, RUS) ,  GORDEEVA A. B. (Ioffe Physical Technical Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint Petersburg, RUS)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 118  号： 24  ページ： 245305-245305-12  発行年： 2015年12月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  Green関数 ,  双極子 ,  酸化膜 ,  *表面 ,  *反射スペクトル ,  電場 ,  歪 ,  変調器 ,  半導体光増幅器 ,  化合物半導体 ,  異方性
準シソーラス用語： 界面双極子 ,  局所電場 ,  固有歪 ,  光弾性変調器 ,  *半導体表面

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自然酸化膜 ,  半導体表面 ,  反射率 ,  異方性 ,  スペクトル ,  局所電場 ,  固有歪