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J-GLOBAL ID:201602221076548122   整理番号:16A0106114

二酸化炭素を用いた超臨界溶液(RESS)の急速成長によるシリコン上のアントラセン薄膜の結晶成長

Crystal Growth of Anthracene Thin Films on Silicon by Rapid Expansion of Supercritical Solutions (RESS) Using Carbon Dioxide
著者 (2件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 787-794 (J-STAGE)  発行年: 2015年 
JST資料番号: S0629A  ISSN: 0021-9592  CODEN: JCEJAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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二酸化炭素を用いた超臨界溶液(RESS)の急速膨張によるシリコン基板上のアントラセン薄膜の成長に関する研究を報告した。粒子の成長特性および成長速度を,308.2から326.2Kの範囲の基板温度,3.0から8.0cmの範囲のスプレー距離,および318.2Kの平衡温度および15.0MPaの平衡圧力で調べた。粒子の形態は,より低い基板温度および/またはより短いスプレー距離では島状であり,より高い基板温度および/またはより大きなスプレー距離では樹状突起であった。成長速度は2から8×10-8 m s-1の範囲であり,これは気相より1桁速い。粒成長の活性化エネルギーは,島状成長に対応する条件では107.7kJ mol-1sであり,樹枝状成長を生じる条件では38.4kJmol-1sであった。成長モードおよび成長速度は,主として,より低い基板温度および/またはより短い噴霧距離での表面積分に依存し,主により高い基板温度および/またはより大きな噴霧距離での物質移動に依存した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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有機化合物の結晶成長  ,  有機化合物の薄膜 
物質索引 (1件):
物質索引
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引用文献 (66件):
  • Anthony, J. E.; “The Larger Acenes: Versatile Organic Semiconductors,” Angew. Chem. Int. Ed., 47, 452–483 (2008)
  • Bleich, J., B. W. Müller and W. Waßmus; “Aerosol Solvent Extraction System—A New Microparticle Production Technique,” Int. J. Pharm., 97, 111–117 (1993)
  • Buckanie, N. M. and F.-J. Meyer zu Heringdorf; “Photoemission Electron Microscopy Study of Anthracene Growth on Si(111),” Surf. Sci., 601, 1701–1704 (2007)
  • Chehroudi, B.; “Supercritical Fluids: Nanotechnology and Select Emerging Applications,” Combust. Sci. Technol., 178, 555–621 (2006)
  • Chernyak, Y., F. Henon, R. B. Harris, R. D. Gould, R. K. Franklin, J. R. Edwards, J. M. DeSimone and R. G. Carbonell; “Formation of Perfluoropolyether Coatings by the Rapid Expansion of Supercritical Solutions (RESS) Process. Part 1: Experimental Results,” Ind. Eng. Chem. Res., 40, 6118–6126 (2001)
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