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J-GLOBAL ID：201602223117178977   整理番号：16A0929729

RFスパッタ法によるc軸配向多結晶ZnO薄膜のTFT応用

著者 (3件)： 高橋崇典 (鶴岡工高専) ,  宝賀剛 (鶴岡工高専) ,  内山潔 (鶴岡工高専)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.13p-P7-9  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング ,  多結晶 ,  薄膜成長 ,  *薄膜トランジスタ ,  ケイ素 ,  キャリア移動度 ,  化合物半導体 ,  *酸化物薄膜
準シソーラス用語： c軸配向

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFスパッタ法 ,  c軸配向 ,  多結晶 ,  ZnO薄膜 ,  TFT ,  応用