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J-GLOBAL ID：201602223853137967   整理番号：16A0726560

InON量子ドット中間層を有するInN/p GaNヘテロ接合太陽電池の変換効率の改善【Powered by NICT】

Improved conversion efficiency of InN/p-GaN heterojunction solar cells with the InON quantum dots interlayer

著者 (5件)： Liang Zhong-Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan) ,  Yang Cheng-Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan) ,  Chan Yu-Teng (Department of Mechanical Engineering, Yuan Ze University, Taiwan) ,  Jiang Chi-Yung (Department of Mechanical Engineering, Yuan Ze University, Taiwan) ,  Ke Wen-Cheng (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ接合太陽電池を,p型GaN/サファイア基板上にスパッタしたInN薄膜の堆積により形成した。酸窒化インジウム(InON)量子ドット(QD)の中間層は,ヘテロ接合太陽電池の変換効率を改善するためのInNとGaN膜の間に挿入した。InN/InON QDs/p GaNヘテロ接合太陽電池は,2.29Vの高い開路電圧,短絡電流密度1.64mA/cm2と1.5G照明下で1.12%の変換効率を示した。InON QD無しの試料と比較して電力変換効率の二倍の増加した増加短絡電流密度によるものであった。-0.08Vでの肩ピークはInON QD中の酸素空格子点の浅い欠陥状態におけるキャリアの捕獲と放出に対応する高周波数(60-100 kHz)C-V特性曲線で見られた。酸素空格子点がInON QD内に存在するだけでなく,キャリア輸送経路を提供するInON QDとp-GaN間の界面における界面状態を生成する。InN/InON QDs/p GaNヘテロ接合太陽電池の電力変換効率の増加はInON QD中間層によって提供されるキャリア輸送チャネルを構築するために起因する。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  HF【周波数】 ,  窒化インジウム ,  *量子ドット ,  表面準位 ,  *窒化ガリウム ,  キャリア輸送 ,  酸素空格子点 ,  短絡電流密度 ,  サファイア基板 ,  *変換効率 ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  *中間層
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子ドット ,  中間層 ,  InN ,  GaN ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  変換効率