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J-GLOBAL ID：201602224145772075   整理番号：16A0942656

固体ソースMBE法で作製した単層Geドットマスクを用いた結晶Si太陽電池用光閉じ込め構造の表面形態

著者 (5件)： 本部惇史 (名大 院) ,  黒川康良 (名大 院) ,  YUASOV Dmitrij (ロシア科学アカデミー) ,  NOVIKOV Alexey (ロシア科学アカデミー) ,  宇佐美徳隆 (名大 院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16p-A24-6  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *太陽電池 ,  ケイ素 ,  閉込め ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  表面性状 ,  *エネルギー変換効率 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： MBE ,  *結晶シリコン太陽電池 ,  光閉込め ,  表面形態

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (12件)： 固体 ,  ソース ,  MBE ,  作製 ,  単層 ,  Ge ,  ドット ,  マスク ,  結晶Si ,  太陽電池 ,  光閉じ込め ,  表面形態