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J-GLOBAL ID：201602225026946423   整理番号：16A0897176

オプトエレクトロニクスのための熱アニーリングによる酸化グラフェンの価電子バンド電子構造展開

Valence-band electronic structure evolution of graphene oxide upon thermal annealing for optoelectronics

著者 (25件)： Yamaguchi Hisato (MPA-11 Materials Synthesis and Integrated Devices (MSID), Materials Physics and Applications (MPA) Division, Mail Stop: K763, Los Alamos National Laboratory (LANL), P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA. [e-mail]) ,  Ogawa Shuichi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Watanabe Daiki (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Hozumi Hideaki (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Gao Yongqian (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), MPA Division, Mail Stop: K771, LANL, P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA) ,  Eda Goki (Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, Singapore, 117542) ,  Eda Goki (Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, Singapore, 117543) ,  Eda Goki (Graphene Research Centre, National University of Singapore, 6 Science Drive 2, Singapore, 117546) ,  Mattevi Cecilia (Department of Materials, Imperial College London, Exhibition Road, London, SW7 2AZ, UK) ,  Fujita Takeshi (WPI Advanced Institute for Materials Research (AIMR), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Yoshigoe Akitaka (Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Ishizuka Shinji (Department of Materials Science and Engineering, Akita National College of Technology, 1-1 Bunkyo-machi, Iigima, Akita, 011-8511, Japan) ,  Adamska Lyudmyla (T-1 Physics and Chemistry of Materials, Theoretical Division, Mail Stop: B221, LANL, P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA) ,  Adamska Lyudmyla (Center for Nonlinear Studies (CNLS), Theoretical Division, Mail Stop: B258, LANL, P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA) ,  Yamada Takatoshi (Nanotube Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Dattelbaum Andrew M. (MPA-11 Materials Synthesis and Integrated Devices (MSID), Materials Physics and Applications (MPA) Division, Mail Stop: K763, Los Alamos National Laboratory (LANL), P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA) ,  Gupta Gautam (MPA-11 Materials Synthesis and Integrated Devices (MSID), Materials Physics and Applications (MPA) Division, Mail Stop: K763, Los Alamos National Laboratory (LANL), P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA) ,  Doorn Stephen K. (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), MPA Division, Mail Stop: K771, LANL, P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA) ,  Velizhanin Kirill A. (T-1 Physics and Chemistry of Materials, Theoretical Division, Mail Stop: B221, LANL, P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA) ,  Teraoka Yuden (Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Chen Mingwei (WPI Advanced Institute for Materials Research (AIMR), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Htoon Han (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), MPA Division, Mail Stop: K771, LANL, P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA) ,  Chhowalla Manish (Department of Materials Science and Engineering, Rutgers University, 607 Taylor Road Piscataway, New Jersey, 08854, USA) ,  Mohite Aditya D. (MPA-11 Materials Synthesis and Integrated Devices (MSID), Materials Physics and Applications (MPA) Division, Mail Stop: K763, Los Alamos National Laboratory (LANL), P.O. Box 1663, Los Alamos, New Mexico, 87545, USA. [e-mail]) ,  Takakuwa Yuji (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan. [e-mail])
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 213  号： 9  ページ： 2380-2386  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱還元による酸化グラフェン(GO)の価電子バンド電子構造展開を報告した。酸素官能化の程度を,アニーリング温度により制御し,電子構造展開を実時間紫外光電子分光を用いてモニターした。~600°Cにおいて,熱アニーリングによるFermi準位周辺での状態密度の劇的な増大を観測した。結果は,熱還元前にGOの明らかなバンドギャップが存在する一方,ギャップは,その温度周辺でのアニーリング後に閉じることを示した。バンドギャップ閉鎖のこの傾向は,電気的,化学的,及び構造特性と相関し,オプトエレクトロニクスに最適である一組のGO材料特性を決定した。結果は,~500°Cの温度におけるアニーリングが,合成時の対応物と較べて,個々のGOシートの一様で一桁増倍した光電流マップにより実証された望ましい特性をもたらすことを明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラフェン ,  *酸化物 ,  *熱処理 ,  *電子構造 ,  *価電子バンド ,  *還元 ,  *熱化学反応 ,  官能化 ,  温度 ,  状態密度 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： *酸化グラフェン ,  *熱アニーリング ,  *熱還元 ,  アニーリング温度

著者キーワード (5件)： Fermi level ,  graphene oxide ,  optoelectronic ,  ultraviolet photoelectron spectroscopy ,  valence-band electronic structure

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： オプトエレクトロニクス ,  熱アニーリング ,  酸化グラフェン ,  価電子バンド ,  電子構造 ,  展開