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J-GLOBAL ID：201602227387946598   整理番号：16A0660686

パワーエレクトロニクス用SiCウェーハの高能率CMPプロセスの開発

著者 (6件)： 平野真也 (産業技術総合研) ,  平野真也 (フジミインコーポレーテッド) ,  河田研治 (産業技術総合研) ,  浅水啓州 (産業技術総合研) ,  浅水啓州 (ローム) ,  加藤智久 (産業技術総合研)
資料名： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
巻： 60  号： 8  ページ： 454-459  発行年： 2016年08月01日 
JST資料番号： L0473A  ISSN： 0914-2703  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)は,高硬度かつ,化学的・熱的にも安定であるため,ウェーハ加工には多くの時間と高いコストを要する。とくに,加工の最終工程である化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)においては,大幅な性能向上が求められている。我々は,基板との反応性を向上させた強酸化剤型スラリーを用い,かつ,高速回転が可能な研磨機を用いた評価により,Si面で10μm/h以上の高能率を達成することができた。更に,到達面質について,水素エッチング評価とコンフォーカル微分干渉顕微鏡,ミラー電子顕微鏡などを用いた評価を行い,SiCエピレディ面質を短時間で実現する二段CMPプロセスの有用性を議論した。(著者抄録)

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  *炭化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *化学機械研磨 ,  スラリー ,  研磨剤 ,  基板 ,  反応性 ,  研磨機 ,  酸化剤 ,  回転 ,  エッチング ,  干渉顕微鏡 ,  共焦点顕微鏡
準シソーラス用語： 研磨スラリー ,  炭化ケイ素基板 ,  微分干渉顕微鏡

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• 1) T.Nakamura et al., Development of SiC diodes, power MOSFETs and intelligent power modules, Phys. Status Solidi A 206, 10 (2009) 2403.
• 2) 加藤智久:NEDOプロ「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」での大口径SiCウェハ加工技術開発,精密工学会誌,80,1 (2014) 18.
• 3) 河田研治:進化するSiCウェハ加工の最新技術,機械技術,62,9 (2014) 29.
• 4) M. Sasaki et al., Analysis on generation of localized step-bunchings on 4H-SiC(0001)Si face by synchrotron X-ray topography, Materials Science Forum, 778-780 (2014) 398.
• 5) 迫秀樹ら:CMP加工後に残存する4H-SiC基板表面ダメージの微細構造解析,SiC及び関連半導体研究第22回講演会A-11 (2013) 72

タイトルに関連する用語 (7件)： パワーエレクトロニクス ,  SiC ,  ウェーハ ,  高能率 ,  CMP ,  プロセス ,  開発