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J-GLOBAL ID：201602228035486078   整理番号：13A0878329

High Concentration InGaN/GaN Multi-Quantum Well Solar Cells with a Peak Open-Circuit Voltage of 2.45 V

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著者 (6件)：
Zhang Dongyan

Zhang Dongyan について

(Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics (SINANO), Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Nanodevices and ...)

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Zheng Xinhe

Zheng Xinhe について

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Li Xuefei

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Wu Yuanyuan

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Wang Jianfeng

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Yang Hui

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資料名：
Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)

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巻： 29  号： 6  ページ： 068801-1-068801-4  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)
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