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J-GLOBAL ID：201602230776937240   整理番号：16A0614800

ECP過程における銅膜特性に及ぼすアニール条件の影響【Powered by NICT】

The influence of anneal condition on copper film property in ECP process

著者 (8件)： Cao Yurong (Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201210, China) ,  Zhang Shaopeng (Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201210, China) ,  Zhang Shoulong (Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201210, China) ,  Zhao Zhengyuan (Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201210, China) ,  Li Hu (Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201210, China) ,  Yu Mingfei (Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201210, China) ,  Yang Yu (Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201210, China) ,  Fu Chang (Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201210, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己アニールと高温アニール(HTA)条件を持つ銅膜の銅結晶粒成長,Rs(Square抵抗)とCMP(化学的機械的研磨)除去速度を定量的に研究した。Rs値は,大きい結晶粒割合の増加とともに減少した。また自己焼なまし銅膜のCMP除去速度が銅の結晶粒の成長に起因して速かった。自己アニールの72時間後,銅膜の主な特性は,HTA条件下で膜と類似した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 化学機械研磨 ,  *焼なまし ,  高温 ,  結晶粒 ,  結晶成長 ,  *銅
準シソーラス用語： 除去速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 信号理論  (ND02020G) ,  人工知能  (JE08000Z) ,  有線通信方式・機器  (ND09000H)

タイトルに関連する用語 (5件)： ECP ,  過程 ,  銅 ,  膜特性 ,  アニール条件