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J-GLOBAL ID：201602231230483146   整理番号：16A1029874

強誘電性多結晶薄膜における核形成と成長の領域の限界【Powered by NICT】

Nucleation and growth domain limits in Ferroelectric polycrystalline thin films

著者 (3件)： Borowiak A. S. (Laboratoire des Sciences et Proce ́de ́s et des Mate ́riaux (LSPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), UPR-CNRS 3407, Universite ́ Paris 13, Sorbonne Paris Cite ́, 99 Avenue J.-B. Cle ́ment, 93430 Villetaneuse, France) ,  Garcia-Sanchez A. (Laboratoire des Sciences et Proce ́de ́s et des Mate ́riaux (LSPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), UPR-CNRS 3407, Universite ́ Paris 13, Sorbonne Paris Cite ́, 99 Avenue J.-B. Cle ́ment, 93430 Villetaneuse, France) ,  Mercone S. (Laboratoire des Sciences et Proce ́de ́s et des Mate ́riaux (LSPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), UPR-CNRS 3407, Universite ́ Paris 13, Sorbonne Paris Cite ́, 99 Avenue J.-B. Cle ́ment, 93430 Villetaneuse, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ISAF/ECAPD/PMF  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶Pb(Zr, Ti)O_3(PZT)薄膜は,圧電アクチュエータ,センサおよび強誘電体ランダムアクセスメモリのような種々の応用に広く用いられている。この後者の場合の重要な問題は,強誘電分域の低電圧並びに粒子サイズでのスイッチング速度能力である。ナノサイズ分域のスイッチング速度制御が新しいより効率的なデバイスの強誘電ナノ構造の応用に必須である。過去数年の間に,多くの研究は,圧電応答力顕微鏡(PFM)によりエピタキシャルPZT強誘電体薄膜のスイッチング動力学について行われている。分域構造を非破壊的に制御されるので,PFMは,ナノスケールレベルで強誘電材料を研究するための強力な技術であり,分極の方位は局所的に調べることができる。大きな時間スケール(1sから10~-9sまで)に与える,二種類の異なる厚さを持つここで多結晶PZT薄膜のスイッチング動力学研究を報告した。両膜は同様な粒径(R_mean45nm)を示し,分極スイッチング速度のための二つの異なる領域の観察を可能にした。ナノ分域の核形成と成長と同様に膜厚と結晶粒構造との成功率の緊密な関係を証明した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 膜厚 ,  スイッチング ,  RAM【メモリ】 ,  分極反転 ,  強誘電分域 ,  *核形成 ,  分域 ,  *多結晶 ,  ナノ構造 ,  強誘電体 ,  *強誘電性
準シソーラス用語： ナノドメイン ,  強誘電体薄膜 ,  圧電応答力顕微鏡 ,  スイッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電性 ,  多結晶薄膜 ,  核形成 ,  成長 ,  限界