文献

J-GLOBAL ID：201602231375622409   整理番号：16A1348452

繰返し機械的負荷時の単結晶シリコンにおけるせん断応力疲労ダメージの蓄積

Shear stress enhanced fatigue damage accumulation in single crystalline silicon under cyclic mechanical loading

著者 (4件)： Kamiya Shoji (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Udhayakumar Arasu (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Izumi Hayato (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Koiwa Kozo (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 244  ページ： 314-323  発行年： 2016年06月15日 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面酸化物層がシリコンの疲労破壊の主因と考えられるという一般的に受け入れられている仮説に対して,結晶の滑り変形が疲労ダメージの蓄積につながることを示す一連の証拠によって支持される,異なった状況が最近出現した。{111}結晶滑り面において,異なるせん断/引張応力比を持つ,2つの異なるタイプの試料を設計し,疲労負荷を加えた。寿命は,面に働くせん断応力が小さい方が最終的に長かった。また,不安定な破壊が出現する前に生成されると思われるストリエーションに似た破壊表面パターンも観測された。一様な転位ネットワークも破壊開始部で見出された。シリコンは,室温においても,これまで信じられていたよりもずっと金属的に振舞い,それが繰返し機械的負荷時に最終的に破壊に導くと考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  剪断応力 ,  *疲れ破壊 ,  蓄積 ,  負荷 ,  繰返し荷重 ,  *塑性変形 ,  引張応力 ,  成長縞 ,  転位【結晶】
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  機械的負荷 ,  *滑り変形

著者キーワード (6件)： Single crystal silicon ,  Shear stress ,  Crystal slip ,  Defect accumulation ,  Striation-like pattern ,  Dislocation network

分類 (1件)： その他の材料の試験  (HB05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 機械的負荷 ,  単結晶シリコン ,  せん断応力 ,  疲労 ,  ダメージ ,  蓄積