Agarwal Lucky について
Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India について
Singh Brijesh Kumar について
Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India について
Tripathi Shweta について
Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India について
Chakrabarti P. について
Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India について
Chakrabarti P. について
Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), Varanasi 221005, India について
Thin Solid Films について
Schottky障壁ダイオード について
パラジウム について
銅 について
ニッケル について
ドーピング について
キャラクタリゼーション について
ゾル-ゲル法 について
薄膜 について
X線回折 について
原子間力顕微鏡 について
構造特性 について
特性 について
偏光解析法 について
光学的性質 について
輸送係数 について
精密測定 について
電気抵抗率 について
アクセプタ について
真空蒸着 について
半導体素子 について
分析機器 について
熱電子放出 について
Schottkyダイオード について
Pd について
Cu について
Ni について
ドープ について
特性評価 について
ZnO薄膜 について
構造的特性 について
形態学的特徴 について
光学特性 について
Seebeck係数 について
四端子法 について
真空蒸着法 について
アナライザ について
半導体素子アナライザ について
p-type ZnO について
Cu doping について
Sol-gel method について
Schottky diode について
ダイオード について
酸化物薄膜 について
薄膜成長技術・装置 について
Pd について
Cu について
ドープ について
ZnO について
Si について
Ni について
Schottkyダイオード について
製作 について