Yan Junda について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Wang Quan について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Wang Xiaoliang について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Xiao Hongling について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Jiang Lijuan について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Yin Haibo について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Feng Chun について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Wang Cuimei について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Qu Shenqi について
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences について
Gong Jiamin について
School of Electronic Engineering, Xi’an University of Posts and Telecommunications について
Zhang Bo について
School of Electronic Engineering, Xi’an University of Posts and Telecommunications について
Li Baiquan について
Beijing Huajin Chuangwei Technology Co., Ltd について
Wang Zhanguo について
Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices について
Hou Xun について
ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics について
Chinese Physics Letters について
ヘテロ接合 について
直流 について
二次元電子ガス について
電流 について
窒化アルミニウム について
窒化ガリウム について
時間依存性 について
遮蔽効果 について
二次元正孔ガス について
ヘテロ構造 について
ドレイン電流 について
HFET について
伝達特性 について
窒化アルミニウムガリウム について
InGaN について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
InGaN について
AlGaN について
GaN について
ヘテロ接合 について
電界効果トランジスタ について
伝達特性 について
観測 について