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J-GLOBAL ID：201602234444283179   整理番号：16A0782524

N₂とCH₃CNのガス混合物のマイクロ波放電によって形成した水素化非晶質窒化炭素膜のN原子へのCN(X²Σ⁺)ラジカルの寄与

Contribution of CN(X²Σ⁺) radicals to N atoms of hydrogenated amorphous carbon nitride films formed from the microwave discharge of the gas mixture of N₂ and CH₃CN

著者 (4件)： Ito Haruhiko (Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Mogi Nobuyoshi (Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Okada Kohtaro (Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Tsudome Hiroki (Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 63  ページ： 125-131  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.24-0.33の[N]/([N]+[C])比をもつ水素化非晶質窒化炭素膜をCH₃CNの過剰量のN₂との気体混合物のマイクロ波放電で形成した。膜中のN原子へのCNラジカルの寄与をフラックスの比,s=Φ_a-CN/Φ_CN(X)に基づいて評価した。なお,ここにΦ_a-CNは膜中に取込まれたN原子のフラックスまたΦ_CN(X)は膜表面に到達するガス相CNラジカルのそれである。Φ_CN(X)はA²Π_i-X²Σ⁺レーザ誘起蛍光スペクトルを用いて評価したCNラジカルの密度と時間分解発光による流速,及び原子組成に対して補正した膜質量から得たφ_a-CNから求めた。s値は0.13-0.98の範囲であり,それはCNラジカルの固着比率より1-2倍大きかった。したがって,膜のN原子の50-100%はCNラジカルに由来するものであることを確認した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 炭素化合物 ,  窒化物 ,  *蒸着膜 ,  非晶質 ,  水素化 ,  プラズマCVD ,  *マイクロ波放電 ,  窒素 ,  アルゴン ,  ラジカル ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  顕微Raman分光法 ,  赤外吸収スペクトル ,  光吸収スペクトル ,  蛍光スペクトル ,  電気抵抗率 ,  電子配置 ,  原子 ,  脂肪族ニトリル
準シソーラス用語： *水素化非晶質窒化炭素膜 ,  *CNラジカル ,  *窒素原子

著者キーワード (5件)： Hydrogenated amorphous carbon nitride ,  Plasma CVD ,  CH₃CN ,  N₂ plasma ,  Laser spectroscopy

分類 (3件)： 窒素とその化合物  (YB02050S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  荷電体衝撃・放電による反応  (CB06020R)

物質索引 (1件)： アセトニトリル

タイトルに関連する用語 (10件)： N2 ,  ガス混合物 ,  マイクロ波放電 ,  水素化 ,  非晶質 ,  窒化 ,  炭素膜 ,  N原子 ,  Cn ,  ラジカル