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J-GLOBAL ID：201602235180732423   整理番号：16A1153166

表面ポテンシャルに基づくSiCパワーMOSFETのためのシミュレーションモデル【Powered by NICT】

A simulation model for SiC power MOSFET based on surface potential

著者 (5件)： Nakamura Yohei (Dept. of Graduate School of Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Shintani Michihiro (Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Oishi Kazuki (Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Sato Takashi (Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Hikihara Takashi (Dept. of Graduate School of Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto, 615-8510, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SISPAD  ページ： 121-124  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiCパワーMOSFET正確な回路シミュレーションのための表面電位ベースシミュレーションモデルを提案した。垂直電力SiC MOSFETの物理的構造と挙動を考慮することにより,提案したモデルは,広範なバイアス電圧の静的および動的特性を再現した。市販SiCパワーMOSFETを用いた実験により,I-V,C-V特性の測定とシミュレーションの間で観察した良好に一致した。1MHzを越えた過渡挙動の良好な一致も確認した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 回路シミュレーション ,  *炭化ケイ素 ,  電力 ,  *MOSFET ,  *シミュレーションモデル ,  *表面電位
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 音声処理  (JE05000E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  信号理論  (ND02020G) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面ポテンシャル ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  シミュレーションモデル