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J-GLOBAL ID：201602235407214820   整理番号：16A1344597

ゲートドライブ回路モデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性のシミュレーション検討

Simulation-Based Discussion on Switching Behavior of an SiC-MOSFET, Taking Into Account a Gate-Drive Circuit Model

著者 (6件)： 中村悠太 (東京工大) ,  葛本昌樹 (東京工大) ,  赤木泰文 (東京工大) ,  椋木康滋 (三菱電機) ,  堀口剛司 (三菱電機) ,  中山靖 (三菱電機)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-16  号： 63-77  ページ： 13-18  発行年： 2016年11月14日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲート回路 ,  回路モデル ,  *半導体素子 ,  *MOSFET ,  過渡応答 ,  シミュレーション ,  解析モデル ,  波形解析 ,  スイッチング
準シソーラス用語： *ゲート駆動回路 ,  *SiC素子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲートドライブ回路 ,  モデル ,  SiC ,  MOSFET ,  過渡特性 ,  シミュレーション