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J-GLOBAL ID：201602235890163178   整理番号：16A0923909

Si(110)上のBiに誘起された超格子構造

Bi induced superstructures on Si(110)

著者 (3件)： Ang Artoni Kevin R. (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Takeda Sakura Nishino (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Daimon Hiroshi (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 34  号： 5  ページ： 051401-051401-6  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Biが高温でSi(110)面に吸着した時に生ずる新たな表面再構成について報告する。600°CでBiの被覆度が0.1MLの時,反射高速電子線回折(RHEED)パターンによると,b₁=3a₁,b₂=-a₁+4a₂をもつBiの3×”4”構造が形成される。630°Cで0.2MLのBi被覆度の時は,b₁=3a₁,b₂=-a₁+6a₂をもつBiの3×”6”構造が観察される。3×”4”および3×”6”構造のRHEEDパターンでのストリークとスポットの共存は,〔001〕方位の構造的相関の乏しい,高密度の逆相領域の存在を示している。〔110〕方位に沿ってBi吸着原子が並んだ構造モデルを提案する。提案するモデルは他の金属が吸着したSi(110)面の同様の再構成にも適用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *人工超格子 ,  *ビスマス ,  基板 ,  ケイ素 ,  *吸着 ,  *表面再構成 ,  *RHEED ,  表面構造 ,  結晶方位

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  Bi ,  誘起 ,  格子構造